Pagina afdrukken
BSC109N10NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC109N10NS3GATMA1
Ordercode2443423RL
Ook bekend alsBSC109N10NS3 G, SP000778132
Technische datasheet
14.172 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 50+ | 1,080 € |
| 250+ | 0,888 € |
| 1000+ | 0,660 € |
| 3000+ | 0,647 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
113,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC109N10NS3GATMA1
Ordercode2443423RL
Ook bekend alsBSC109N10NS3 G, SP000778132
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source On State Resistance0.0109ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
- OptiMOS™3 power transistor
- Very low gate charge for high frequency applications
- Optimized for DC-DC conversion
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0109ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.003175
Producttraceerbaarheid