Pagina afdrukken
BSC500N20NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC500N20NS3GATMA1
Ordercode2725817
ProductreeksOptiMOS 3 Series
Ook bekend alsBSC500N20NS3 G, SP000998292
Technische datasheet
1.898 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 2,020 € |
| 10+ | 1,400 € |
| 100+ | 1,020 € |
| 500+ | 0,828 € |
| 1000+ | 0,779 € |
| 5000+ | 0,703 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
2,02 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSC500N20NS3GATMA1
Ordercode2725817
ProductreeksOptiMOS 3 Series
Ook bekend alsBSC500N20NS3 G, SP000998292
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
BSC500N20NS3GATMA1 is a N-channel OptiMOS 3 power-transistor. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Continuous drain current is 24A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation is 96W
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on) is 42mohm
- Qualified according to JEDEC1 for target application
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Available in 8 pin TDSON package
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000149
Producttraceerbaarheid