Pagina afdrukken
BSO150N03MDGXUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.0125 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSO150N03MDGXUMA1
Ordercode2480752
Ook bekend alsBSO150N03MD G, SP000447476
Technische datasheet
3.171 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,170 € |
| 10+ | 0,765 € |
| 100+ | 0,511 € |
| 500+ | 0,442 € |
| 1000+ | 0,402 € |
| 5000+ | 0,319 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,17 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSO150N03MDGXUMA1
Ordercode2480752
Ook bekend alsBSO150N03MD G, SP000447476
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The BSO150N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance
- Excellent gate charge
- Halogen-free
Toepassingen
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0125ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0125ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0005
Producttraceerbaarheid