Pagina afdrukken
BSO615CGHUMA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.07 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSO615CGHUMA1
Ordercode2480777
Ook bekend alsBSO615C G, SP000216311
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 28 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,280 € |
| 10+ | 0,872 € |
| 100+ | 0,639 € |
| 500+ | 0,525 € |
| 1000+ | 0,488 € |
| 5000+ | 0,420 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,28 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantBSO615CGHUMA1
Ordercode2480777
Ook bekend alsBSO615C G, SP000216311
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The BSO615C G is a SIPMOS® dual N/P-channel enhancement-mode Small Signal Transistor for DC-to-DC converter and on-board charger applications. It is a complementary MOSFET with n-channel and a p-channel power transistor within the same package.
- Avalanche rated
- Logic level
Toepassingen
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Indonesia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Indonesia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0005
Producttraceerbaarheid