Pagina afdrukken
FF100R12RT4HOSA1
IGBT Module, Dual, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF100R12RT4HOSA1
Ordercode2726116
Ook bekend alsFF100R12RT4, SP000624754
Technische datasheet
2 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 106,190 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
106,19 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF100R12RT4HOSA1
Ordercode2726116
Ook bekend alsFF100R12RT4, SP000624754
Technische datasheet
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current100A
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd555W
Power Dissipation555W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatieven voor FF100R12RT4HOSA1
2 gevonden producten
Technische specificaties
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
555W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
555W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.155936
Producttraceerbaarheid