Pagina afdrukken
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF3MR20W3M1HH11BPSA1
Ordercode4694663
ProductreeksEasyPACK Series
Ook bekend alsFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
Technische datasheet
11 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 542,890 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
542,89 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF3MR20W3M1HH11BPSA1
Ordercode4694663
ProductreeksEasyPACK Series
Ook bekend alsFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id275A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance4100µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins52Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and High Current Pin / NTC. Potential applications include energy storage systems (ESS), EV charging, UPS systems, and solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low switching losses, high current density
- High current pin, PressFIT contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, integrated NTC temperature sensor
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 275A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 640A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 2.6mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 320A
- Total gate charge is 1.56 µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
275A
Drain Source On State Resistance
4100µohm
No. of Pins
52Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85365080
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid