Pagina afdrukken
FF450R12KE4EHOSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF450R12KE4EHOSA1
Ordercode2781230
ProductreeksStandard 62mm C
Ook bekend alsFF450R12KE4_E, SP001186148
Technische datasheet
7 Op Voorraad
10 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 130,550 € |
| 5+ | 129,440 € |
| 10+ | 128,320 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
130,55 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF450R12KE4EHOSA1
Ordercode2781230
ProductreeksStandard 62mm C
Ook bekend alsFF450R12KE4_E, SP001186148
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
Continuous Collector Current520A
DC Collector Current520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation Pd2.4kW
Power Dissipation2.4kW
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode suitable for use in high frequency switching application, high power converters, solar applications and UPS systems.
- Increased DC link voltage
- Trench IGBT 4
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
- Copper base plate
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation Pd
2.4kW
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
DC Collector Current
520A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation
2.4kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Hungary
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Hungary
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.015
Producttraceerbaarheid