Pagina afdrukken
FF900R12IE4PBOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 150 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF900R12IE4PBOSA1
Ordercode2781237
ProductreeksPrimePACK 2
Ook bekend alsFF900R12IE4P, SP001355414
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 16 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 425,130 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
425,13 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFF900R12IE4PBOSA1
Ordercode2781237
ProductreeksPrimePACK 2
Ook bekend alsFF900R12IE4P, SP001355414
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current900A
DC Collector Current900A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation5.1kW
Power Dissipation Pd5.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangePrimePACK 2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
900A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
5.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
PrimePACK 2
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
900A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
5.1kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.02
Producttraceerbaarheid