Pagina afdrukken
FP15R12W1T4_B3
IGBT Module, PIM, 15 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFP15R12W1T4_B3
Ordercode1833569
Ook bekend alsSP000255356
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 16 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 35,370 € |
| 5+ | 29,670 € |
| 10+ | 23,970 € |
| 50+ | 23,490 € |
| 100+ | 23,010 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
35,37 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFP15R12W1T4_B3
Ordercode1833569
Ook bekend alsSP000255356
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationPIM
DC Collector Current15A
Continuous Collector Current15A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation130W
Power Dissipation Pd130W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
No. of Pins20Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Productoverzicht
The FP15R12W1T4_B3 is an EasyPIM™ 1B 3-phase rectifier IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC (without brake chopper). It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.
- Low switching losses
- V(CEsat) with positive temperature coefficient
- Al2O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Toepassingen
Power Management, HVAC, Motor Drive & Control
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
15A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
IGBT Configuration
PIM
Continuous Collector Current
15A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
130W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
20Pins
IGBT Technology
IGBT 4
Product Range
-
Technische documenten (3)
Alternatieven voor FP15R12W1T4_B3
1 product gevonden
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.024
Producttraceerbaarheid