Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFP25R12W2T4B11BOMA1
Ordercode2781243
ProductreeksEasyPIM 2B
Ook bekend alsFP25R12W2T4_B11, SP000413966
Technische datasheet
14 Op Voorraad
15 U kunt nu voorraad reserveren
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 45,750 € |
5+ | 39,430 € |
10+ | 33,110 € |
50+ | 32,450 € |
100+ | 31,790 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
45,75 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantFP25R12W2T4B11BOMA1
Ordercode2781243
ProductreeksEasyPIM 2B
Ook bekend alsFP25R12W2T4_B11, SP000413966
Technische datasheet
IGBT ConfigurationPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current39A
Continuous Collector Current39A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd175W
Power Dissipation175W
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPIM 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
IGBT Configuration
PIM Three Phase Input Rectifier
DC Collector Current
39A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
175W
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EasyPIM 2B
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
39A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
175W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.054431
Producttraceerbaarheid