Pagina afdrukken
GS0650112LMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
geef hier uw interesse aan
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 4,360 € |
| 5+ | 4,120 € |
| 10+ | 3,870 € |
| 50+ | 3,740 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,36 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantGS0650112LMRXUSA1
Ordercode4715955
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.195ohm
Typical Gate Charge2.2nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11A
Typical Gate Charge
2.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid