Pagina afdrukken
GS66516TMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
geef hier uw interesse aan
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 46,780 € |
| 5+ | 44,170 € |
| 10+ | 41,480 € |
| 50+ | 40,090 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
46,78 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantGS66516TMRXUSA1
Ordercode4715926
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Typical Gate Charge14.2nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
60A
Typical Gate Charge
14.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid