Pagina afdrukken
IDD04SG60CXTMA2
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ Gen III Series, Single, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIDD04SG60CXTMA2
Ordercode2895616RL
ProductreeksthinQ Gen III Series
Ook bekend alsIDD04SG60C, SP001633156
Technische datasheet
13.455 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,040 € |
| 500+ | 0,854 € |
| 1000+ | 0,832 € |
| 5000+ | 0,734 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
109,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIDD04SG60CXTMA2
Ordercode2895616RL
ProductreeksthinQ Gen III Series
Ook bekend alsIDD04SG60C, SP001633156
Technische datasheet
Product RangethinQ Gen III Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
Average Forward Current4A
Total Capacitive Charge4.5nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<lt/>130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Technische specificaties
Product Range
thinQ Gen III Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
600V
Total Capacitive Charge
4.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
4A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000907