Pagina afdrukken
IGB070S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGB070S10S1XTMA1
Ordercode4680813RL
Ook bekend alsIGB070S10S1, SP006039129
Technische datasheet
4.000 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,350 € |
| 1000+ | 1,150 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 150
Meerdere: 1
241,50 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGB070S10S1XTMA1
Ordercode4680813RL
Ook bekend alsIGB070S10S1, SP006039129
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.007ohm
Typical Gate Charge6.1nC
No. of Pins4Pins
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
6.1nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid