Pagina afdrukken
IGB110S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGB110S10S1XTMA1
Ordercode4680814RL
Ook bekend alsIGB110S10S1, SP005751575
Technische datasheet
3.899 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,986 € |
| 500+ | 0,827 € |
| 1000+ | 0,705 € |
| 5000+ | 0,645 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
103,60 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
23A
Typical Gate Charge
3.4nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid