Pagina afdrukken
IGC033S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGC033S10S1XTMA1
Ordercode4640392RL
Ook bekend alsIGC033S10S1, SP005751571
Technische datasheet
1.110 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,910 € |
| 500+ | 1,650 € |
| 1000+ | 1,520 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
196,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGC033S10S1XTMA1
Ordercode4640392RL
Ook bekend alsIGC033S10S1, SP005751571
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins6Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
IGC033S10S1XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- Ultra fast switching and high efficiency
- No reverse recovery charge, space saving and highly robust package
- Ultra low gate charge and output charge
- Exposed die for top‑side thermal excellence
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin TSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
76A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid