Pagina afdrukken
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGLD60R190D1AUMA3
Ordercode3775954RL
ProductreeksCoolGaN
Ook bekend alsSP005557217, IGLD60R190D1
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on) Max0.19ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternatieven voor IGLD60R190D1AUMA3
1 product gevonden
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on) Max
0.19ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001