Pagina afdrukken
IGLD65R110D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGLD65R110D2AUMA1
Ordercode4680828RL
Ook bekend alsIGLD65R110D2, SP005918714
Technische datasheet
1.920 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 3,190 € |
| 500+ | 2,860 € |
| 1000+ | 2,640 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
324,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
14A
Typical Gate Charge
2.4nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid