Pagina afdrukken
IGT65R025D2XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.500 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | 12,530 € |
| 50+ | 11,280 € |
| 100+ | 10,480 € |
| 250+ | 10,270 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
130,30 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGT65R025D2XTMA1
Ordercode4640393RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
70A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid