Pagina afdrukken
IGT65R140D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGT65R140D2ATMA1
Ordercode4695749RL
Ook bekend alsIGT65R140D2, SP005965886
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 2,280 € |
| 500+ | 1,910 € |
| 1000+ | 1,630 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 150
Meerdere: 1
342,00 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIGT65R140D2ATMA1
Ordercode4695749RL
Ook bekend alsIGT65R140D2, SP005965886
Technische datasheet
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid