Pagina afdrukken
IMBG40R036M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIMBG40R036M2HXTMA1
Ordercode4538822
ProductreeksCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Ook bekend alsIMBG40R036M2H, SP006064679
Technische datasheet
990 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 7,520 € |
| 10+ | 5,310 € |
| 100+ | 4,420 € |
| 500+ | 3,940 € |
| 1000+ | 3,510 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
7,52 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIMBG40R036M2HXTMA1
Ordercode4538822
ProductreeksCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Ook bekend alsIMBG40R036M2H, SP006064679
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0457ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
IMBG40R036M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 36.4mohm RDS(on), 50A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0457ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid