Pagina afdrukken
IMBG65R057M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIMBG65R057M1HXTMA1
Ordercode3928614RL
ProductreeksCoolSiC M1 Trench Series
Ook bekend alsSP005539175, IMBG65R057M1H
Technische datasheet
795 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | 5,180 € |
| 50+ | 4,690 € |
| 100+ | 4,190 € |
| 250+ | 4,110 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
56,80 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIMBG65R057M1HXTMA1
Ordercode3928614RL
ProductreeksCoolSiC M1 Trench Series
Ook bekend alsSP005539175, IMBG65R057M1H
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.057ohm
On Resistance Rds(on)0.057ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation161W
Power Dissipation Pd161W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.057ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
161W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
161W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Technische documenten (1)
Aanverwante producten
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001588
Producttraceerbaarheid