Pagina afdrukken
4.800 Op Voorraad
4.800 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 50+ | 2,120 € |
| 250+ | 1,640 € |
| 1000+ | 1,410 € |
| 2000+ | 1,380 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
217,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF6717MTRPBF
Ordercode2781114RL
ProductreeksHEXFET
Ook bekend alsSP001525458
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance1250µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation96W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MX package ideal for CPU Core DC-DC converters, LED, motor control and notebook.
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- Industry standard qualification level
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction and switching losses
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for sync. FET socket of sync. buck converter
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1250µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
5Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000127
Producttraceerbaarheid