Pagina afdrukken
6.019 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 2,430 € |
| 50+ | 1,510 € |
| 250+ | 1,420 € |
| 1000+ | 1,000 € |
| 2000+ | 0,985 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
12,15 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF6727MTRPBF
Ordercode2579991
ProductreeksHEXFET
Ook bekend alsSP001530240
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation89W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET and schottky diode in a DirectFET™ MT package. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Dual sided cooling compatible
- Ultra low package inductance
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for both sync.FET and some control FET application
- Low conduction and switching losses
- Product qualification according to JEDEC standard
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000426
Producttraceerbaarheid