Pagina afdrukken
IRF8010PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF8010PBF
Ordercode8657823
Ook bekend alsSP001575444
Technische datasheet
984 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,550 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,948 € |
| 500+ | 0,940 € |
| 1000+ | 0,910 € |
| 5000+ | 0,827 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,55 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRF8010PBF
Ordercode8657823
Ook bekend alsSP001575444
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation260W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IRF8010PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rating
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
260W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (1)
Alternatieven voor IRF8010PBF
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid