Pagina afdrukken
IRFHM792TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFHM792TRPBF
Ordercode3775961RL
ProductreeksHEXFET Series
Ook bekend alsSP001554848, IRFHM792TRPBF
Technische datasheet
3.303 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 500+ | 0,516 € |
| 1000+ | 0,469 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Meerdere: 1
263,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFHM792TRPBF
Ordercode3775961RL
ProductreeksHEXFET Series
Ook bekend alsSP001554848, IRFHM792TRPBF
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel4.8A
Continuous Drain Current Id P Channel4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.164ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.164ohm
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel10.4W
Power Dissipation P Channel10.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.164ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
10.4W
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
4.8A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.164ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
10.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001149
Producttraceerbaarheid