Pagina afdrukken
IRFP4668PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFP4668PBF
Ordercode1684526
ProductreeksHEXFET Series
Ook bekend alsSP001572854
Technische datasheet
8.964 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 4,770 € |
| 5+ | 4,760 € |
| 10+ | 4,750 € |
| 50+ | 3,080 € |
| 100+ | 3,050 € |
| 250+ | 3,020 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,77 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFP4668PBF
Ordercode1684526
ProductreeksHEXFET Series
Ook bekend alsSP001572854
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IRFP4668PBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET featured with improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness, fast switching. Applicable at high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±30V
- On resistance Rds(on) of 8mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 520W at 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
30V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.006