Imprimer la page
IRFP4668PBF
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP4668PBF
Code Commande1684526
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001572854
Fiche technique
8.964 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 4,770 € |
| 5+ | 4,760 € |
| 10+ | 4,750 € |
| 50+ | 3,080 € |
| 100+ | 3,050 € |
| 250+ | 3,020 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
4,77 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFP4668PBF
Code Commande1684526
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001572854
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..200V
Courant de drain Id130A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.008ohm
Type de boîtier de transistorTO-247AC
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)30V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance520W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le IRFP4668PBF est un MOSFET de puissance 200V simple canal N HEXFET en boîtier TO-247AC. Ce MOSFET a des fonctionnalités améliorées de porte, avalanche et dynamique dV/dt robustesse, commutation rapide. Applicable haute efficacité redressement synchrone SMPS, alimentation sans coupure, commutation de puissance à haute vitesse et circuits haute fréquence.
- Diode améliorée capacité dV/ dt et dl/dt
- Capacité entièrement caractérisé et avalanche SOA
- Tension Drain/Source (Vds) de 200V
- Tension Grille-Source de ±30V
- Résistance à l'état passant Rds(on) de 8mohm à Vgs 10V
- Dissipation de puissance (Pd) 520W à 25°C
- Température d'utilisation de -55°C à 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
130A
Type de boîtier de transistor
TO-247AC
Tension de test Rds(on)
30V
Dissipation de puissance
520W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.008ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006