Pagina afdrukken
IRFP9140NPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-247AC, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFP9140NPBF
Ordercode1653674
Ook bekend alsSP001556802
Technische datasheet
12.755 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 2,710 € |
| 10+ | 1,540 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,924 € |
| 1000+ | 0,878 € |
| 5000+ | 0,832 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
2,71 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFP9140NPBF
Ordercode1653674
Ook bekend alsSP001556802
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IRFP9140NPBF is a -100V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- 175°C Operating temperature
Toepassingen
Power Management
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.005443
Producttraceerbaarheid