Pagina afdrukken
IRFR3607TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 56 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFR3607TRPBF
Ordercode2101420
Ook bekend alsSP001567010
Technische datasheet
11.906 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 1,330 € |
| 50+ | 0,986 € |
| 250+ | 0,752 € |
| 1000+ | 0,680 € |
| 3000+ | 0,555 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
6,65 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantIRFR3607TRPBF
Ordercode2101420
Ook bekend alsSP001567010
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The IRFR3607TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance and avalanche SOA. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Toepassingen
Power Management, Industrial
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Alternatieven voor IRFR3607TRPBF
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000226