Pagina afdrukken
SPP17N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-220, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantSPP17N80C3XKSA1
Ordercode2480724
Ook bekend alsSPP17N80C3, SP000683164
Technische datasheet
222 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 4,060 € |
| 10+ | 3,170 € |
| 100+ | 1,830 € |
| 500+ | 1,770 € |
| 1000+ | 1,730 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,06 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantINFINEON
Artikelnr. fabrikantSPP17N80C3XKSA1
Ordercode2480724
Ook bekend alsSPP17N80C3, SP000683164
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Productoverzicht
The SPP17N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Improved transconductance
- Periodic avalanche rated
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
Toepassingen
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (1)
Alternatieven voor SPP17N80C3XKSA1
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002008