Pagina afdrukken
IXFB44N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFB44N100P
Ordercode3438373
ProductreeksPolar HiPerFET Series
Technische datasheet
296 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 26,790 € |
| 5+ | 25,220 € |
| 10+ | 23,650 € |
| 50+ | 22,070 € |
| 100+ | 20,500 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
26,79 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFB44N100P
Ordercode3438373
ProductreeksPolar HiPerFET Series
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
IXFB44N100P is a polar™ power MOSFET HiPerFET™. Typical applications are switched-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, AC and DC motor controls, robotics and servo controls.
- N-channel enhancement mode
- Avalanche rated
- Fast recovery intrinsic diode
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance, easy to drive and to protect
- Plus 264™ package for clip or spring mounting
- Space savings, high power density
- Voltage rating VDSS is 1000V at TJ = 25°C to 150°C
- Current rating ID25 is 44A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 220mohm at VGS=10V, ID=0.5 ID25, time trr is 300ns at F=22A, -di/dt=100A/μs
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001361
Producttraceerbaarheid