Pagina afdrukken
IXFK140N30P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
199 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 19,500 € |
| 5+ | 18,300 € |
| 10+ | 17,100 € |
| 50+ | 15,890 € |
| 100+ | 14,690 € |
| 250+ | 13,490 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
19,50 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFK140N30P
Ordercode1427306
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Productoverzicht
The IXFK140N30P is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- Avalanche rating
- Low Qg
- Easy to mount
- Space saving
- Low package inductance
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
140A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:South Korea
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.01
Producttraceerbaarheid