Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
274 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 4,660 € |
10+ | 4,340 € |
25+ | 4,210 € |
50+ | 4,110 € |
100+ | 4,010 € |
250+ | 3,880 € |
500+ | 3,780 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,66 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMICRON
Artikelnr. fabrikantMT47H32M16NF-25E AAT:H
Ordercode4050864
Technische datasheet
DRAM TypeDDR2
Memory Density512Mbit
Memory Configuration32M x 16bit
Clock Frequency Max400MHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins84Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Productoverzicht
MT47H32M16NF-25E AAT:H is a DDR2 SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is for 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. A single READ or WRITE operation for the DDR2 SDRAM consists of a single 4n-bitwide, two-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and four corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O balls. It has JEDEC-standard of 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) and differential data strobe (DQS, DQS#) option.
- Operating voltage range is 1.8V (VDD CMOS)
- 32Meg x 16 configuration, automotive qualified, 8D response time
- Packaging style is 84-ball 8mm x 12.5mm FBGA
- Timing (cycle time) is 2.5ns at CL = 5 (DDR2-800)
- Operating temperature range is –40°C to +105°C, design generation
- Data rate is 800MT/s, 4n-bit prefetch architecture
- DLL to align DQ and DQS transitions with CK, programmable CAS latency (CL)
- Posted CAS additive latency (AL), WRITE latency = READ latency - 1ᵗCK
- Adjustable data-output drive strength, 64ms, 8192-cycle refresh
- On-die termination (ODT), supports JEDEC clock jitter specification
Technische specificaties
DRAM Type
DDR2
Memory Configuration
32M x 16bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
512Mbit
Clock Frequency Max
400MHz
No. of Pins
84Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001