Pagina afdrukken
MT53E256M32D1KS-046 WT:L
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pins
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.373 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 15,290 € |
| 10+ | 14,170 € |
| 25+ | 13,730 € |
| 50+ | 13,390 € |
| 100+ | 13,060 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
15,29 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMICRON
Artikelnr. fabrikantMT53E256M32D1KS-046 WT:L
Ordercode4263257
Technische datasheet
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Productoverzicht
MT53E256M32D1KS-046 WT:L is a LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- Frequency range: 2133–10MHz (data rate range per pin: 4266–20Mb/s)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16/32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 256 Meg x 32 (2 channels x 16 I/O) array configuration
- 200-ball VFBGA package, AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -25°C to +85°C
Technische specificaties
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001