Pagina afdrukken
MJ3001
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 150 W, 10 A, TO-3, 2 Pins
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
255 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 5,070 € |
| 10+ | 3,620 € |
| 100+ | 2,820 € |
| 500+ | 2,110 € |
| 1000+ | 1,580 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
5,07 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantMULTICOMP PRO
Artikelnr. fabrikantMJ3001
Ordercode3473377
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The MJ13001 from Multicomp Pro are through hole, NPN power transistors in monolithic darlington configuration in TO-3 metal can package. This transistor is suitable for linear applications.
- Collector emitter voltage (Vce) of 80V
- Continuous collector current (Ic) of 10A
- Power dissipation of 150W
- Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
- Collector emitter saturation voltage of 4V at Ic=10A
- DC current gain of 1000 at Ic=5A
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
- 96% of customers would recommend to a friend
Toepassingen
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
150W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:India
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:India
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.054431