Pagina afdrukken
BSS123,215
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
456.000 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 3000+ | 0,0314 € |
| 9000+ | 0,0257 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Meerdere: 3000
94,20 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantBSS123,215
Ordercode2319393
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The BSS123,215 is a N-channel enhancement-mode logic level FET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is designed and qualified for use in relay driver, high-speed line driver and telephone ringer applications.
- Saves PCB space due to small footprint
- Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
- Suitable for logic level gate drive sources
- Extremely fast switching
- Subminiature surface-mount package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Toepassingen
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (3)
Alternatieven voor BSS123,215
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid