Pagina afdrukken
GAN111-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
251 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | 8,900 € |
| 50+ | 7,560 € |
| 100+ | 7,230 € |
| 250+ | 6,890 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
94,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantGAN111-650WSBQ
Ordercode4550980RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Typical Gate Charge4.9nC
No. of Pins3Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
21A
Typical Gate Charge
4.9nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid