Pagina afdrukken
MRF24G300HSR5
Gallium Nitride (GaN) Transistor, GaN, 125 V, NI-780S
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantMRF24G300HSR5
Ordercode3280902RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds125V
Continuous Drain Current Id-
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge-
Transistor Case StyleNI-780S
No. of Pins4Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
125V
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
NI-780S
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Typical Gate Charge
-
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.2
Producttraceerbaarheid