Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
49 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 145,510 € |
5+ | 134,970 € |
10+ | 124,420 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
145,51 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantMRFE6VP6300HR5
Ordercode2776250
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds130VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.05kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-780
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate--source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large--signal impedance parameters
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
130VDC
Power Dissipation
1.05kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-780
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.008165
Producttraceerbaarheid