Pagina afdrukken
55GN01MA-TL-E.
Bipolar - RF Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 400 mW, 70 mA, SOT-323
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikant55GN01MA-TL-E.
Ordercode3616986
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max10V
Transition Frequency5.5GHz
Power Dissipation400mW
Continuous Collector Current70mA
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
5.5GHz
Continuous Collector Current
70mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Collector Emitter Voltage Max
10V
Power Dissipation
400mW
Transistor Case Style
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.1
Producttraceerbaarheid