Pagina afdrukken
BC847BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 380 mW
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantBC847BDW1T1G
Ordercode2101801
ProductreeksBCxxx Series
Technische datasheet
29.548 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,208 € |
| 50+ | 0,148 € |
| 100+ | 0,0933 € |
| 500+ | 0,0675 € |
| 1500+ | 0,0417 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
1,04 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantBC847BDW1T1G
Ordercode2101801
ProductreeksBCxxx Series
Technische datasheet
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN380mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN450hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product RangeBCxxx Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The BC847BDW1T1G is a NPN dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Toepassingen
Power Management, Industrial
Technische specificaties
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
380mW
DC Current Gain hFE Min NPN
450hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
BCxxx Series
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor BC847BDW1T1G
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000006
Producttraceerbaarheid