Pagina afdrukken
BSP52T1G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pins
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
3.504 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 50+ | 0,331 € |
| 250+ | 0,253 € |
| 1000+ | 0,156 € |
| 3000+ | 0,137 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
38,10 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantBSP52T1G
Ordercode2317579RL
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Power Dissipation Pd1.25W
Continuous Collector Current1A
DC Collector Current1A
Power Dissipation800mW
RF Transistor CaseSOT-223
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The BSP52T1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
- AECQ101 qualified and PPAP capable
Toepassingen
Industrial, Power Management, Automotive
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation
800mW
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation Pd
1.25W
DC Collector Current
1A
RF Transistor Case
SOT-223
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor BSP52T1G
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00012
Producttraceerbaarheid