Pagina afdrukken
FDC6318P
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 2.5 A
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
7.500 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 0,919 € |
| 10+ | 0,612 € |
| 100+ | 0,454 € |
| 500+ | 0,352 € |
| 1000+ | 0,319 € |
| 5000+ | 0,261 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,92 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDC6318P
Ordercode1611390
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.09ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The FDC6318P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
- ±8V Gate to source voltage
- -2.5A Continuous drain/output current
- -7A Pulsed drain/output current
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.09ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001
Producttraceerbaarheid