Pagina afdrukken
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDD6N50TM
Ordercode3616028
ProductreeksUniFET
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.76ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternatieven voor FDD6N50TM
1 product gevonden
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.76ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.1
Producttraceerbaarheid