Pagina afdrukken
FDME1024NZT
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.460 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 0,728 € |
| 10+ | 0,546 € |
| 100+ | 0,412 € |
| 500+ | 0,340 € |
| 1000+ | 0,281 € |
| 5000+ | 0,245 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,73 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDME1024NZT
Ordercode2083357
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.055ohm
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDME1024NZT is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for dual switching requirement in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent N-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching and linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±8V Gate to source voltage
- 3.8A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.055ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor FDME1024NZT
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000054
Producttraceerbaarheid