Pagina afdrukken
FGA60N65SMD
IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pins
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
537 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 5,780 € |
| 10+ | 5,680 € |
| 100+ | 3,560 € |
| 500+ | 2,970 € |
| 1000+ | 2,910 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
5,78 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFGA60N65SMD
Ordercode2825136
Technische datasheet
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische specificaties
Continuous Collector Current
120A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.007439
Producttraceerbaarheid