Pagina afdrukken
MJD122T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
13.216 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,561 € |
| 500+ | 0,443 € |
| 1000+ | 0,398 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
61,10 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantMJD122T4G
Ordercode2317578RL
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation20W
DC Collector Current8A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Toepassingen
Industrial, Power Management, Automotive
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor MJD122T4G
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00033
Producttraceerbaarheid