Pagina afdrukken
MUN5311DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
82.400 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,200 € |
| 10+ | 0,115 € |
| 100+ | 0,0764 € |
| 500+ | 0,0527 € |
| 1000+ | 0,0471 € |
| 5000+ | 0,0351 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
1,00 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantMUN5311DW1T1G
Ordercode2464148
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The MUN5311DW1T1G is a dual NPN-PNP Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor MUN5311DW1T1G
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004536
Producttraceerbaarheid