Pagina afdrukken
NDC7003P
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
31.780 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,434 € |
| 10+ | 0,265 € |
| 100+ | 0,171 € |
| 500+ | 0,119 € |
| 1000+ | 0,118 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
2,17 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNDC7003P
Ordercode2454057
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel340mA
Continuous Drain Current Id P Channel340mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Toepassingen
Industrial, Power Management
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
340mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
340mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000033
Producttraceerbaarheid